粤升设备融合二十余年的SiC晶体工艺经验打造，给您提供高质量，低成本的SiC单晶。

设备名称:液相法SiC单晶炉

规格参数

设备型号:YS-C08S01

设备尺寸:L1800xW1400xH3750mm

适用工艺:LPE法(兼容PVT法)

长晶尺寸:6吋兼容8吋

籽晶/坩埚升降行程:200mm

籽晶/坩埚旋转速度范围:0-180rpm

**加热温度:800~2200℃C

设备特点

·液相法SiC长晶特点

·生长的晶体质量高，缺陷少，没有微管类缺陷，晶体应力低，

·可生长n型、p型SiC单晶晶锭，也可生长3C-SiC

·生长过程对温场影响小，工艺稳定性好

·不需预合成SiC粉原料，生长成本低

·生长温度低，能耗低。